Ддр

Ддр

Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

Большая часть компьютерных составляющих являются настолько сложными, что разобраться с тем, чтоони собой представляют, порой не могут даже более-менее продвинутые пользователи. Некоторые нюансы связаны также и с такими понятиями, как: DDR3 и DDR3L.

Под словами DDR, главным образом подразумевают такой тип компьютерной памяти, который массово используется в вычислительной технике в роли оперативной, либо-же видеопамяти. В настоящий момент времени предусмотрено сразу-же несколько разновидностей этой компьютерной составляющей.Некоторое время тому назад, активно пользовались DDR2, об существование которой, заявили в далеком 2003 году. В качестве некой основы, здесь используется передача данных по обоим срезам тактового сигнала. Именно благодаря ему, можно удвоить скорость передачи данных. Этот параметр объединяет его вместе с намного менее востребованными DDR1. Ну а вот тем параметром, который их между собой отличает является то, что работает новый тип памяти на частоте, что вдвое больше стандартной.

При всем этом, для того, чтобы существовала возможность обеспечить достаточно большой поток данных, их передача на шину, в одно и то самое время, осуществляется сразу-же из четырех мест. В настоящий момент времени, наиболее продвинутым стандартом памяти считается DDR3, об существование которого, впервые упомянули в 2010 году.

DDR3, являет собой синхронную динамическую память, которая имеет возможность похвастаться наличием произвольного доступа и удвоенной скоростью передачи данных, соответственно, этот тип памяти, относится к третьему поколению. В случае с ней, размер предпокачки увеличивается с 4 до 8 бит, что довольно таки существенно, согласитесь ведь. Его отличительной особенностью является то, что в случае с ней, потребление энергии является гораздо меньше, нежели в случае с модулями,присутствующими в DDR2. Обуславливается такое положение дел тем, что в DDR3, такой показатель составляет 1,5 В.

Возможно некоторым из вас это покажется весьма странноватым, но снижение напряжения питания, имеет место быть, благодаря тому, что в DDR3, предусмотрен уникальный техпроцесс, ключевым этапом которого должно считаться применение транзисторов, располагающих двойным затвором Dual-gate. Последний, кстати говоря, способствует существенному снижению токов утечки. Микросхемы производятся только в тех корпусах, которые принадлежат к типу BGA. Самой маленькой емкостью модулей памяти DDR3, должно составлять не меньше 1 Гб. Что касается максимальной емкости, то она гораздо выше, так как составляет 16 ГБ.

Помимо стандартной разновидности данного типа памяти, известно об существование DDR3L, в случае с которым,предусмотрен намного более низкий показатель напряжения. В нем этот показатель равняется 1,35 В. Ну а это, меньше традиционного для DDR3 на 10%.

В частности хотелось бы остановится на DDR3L. Преимущественное большинство производителей,ответственных за изготовление памяти такого типа, делают свой товар таким образом, чтобы он состоял из двух модулей. Каждый из них поставляется в отдельном пластиковом пакете, который в свою очередь, обеспечивает их надежную защиту от возможного пробоя статического электричества. Кстати говоря, для того, чтобы все прошло должным образом, вам следовало бы предусмотреть то, что вовремя осуществления установки соответствующих модулей, необходимы сделать все возможное для того, чтобы предотвратить разряд статического электричества.

Некоторые отличия предусмотрены также и в их маркировки. Так, к примеру, в случае с DDR3L, памятью для персональных компьютеров,будет использована маркировка PC3L. Принято считать, что этот стандарт, способен обеспечить более низкое энергопотребление и ввиду того, что сейчас в моду вошла экологичность, нету ничего удивительного в его необыкновенной популярности.

Типы оперативной памяти: DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, тип 3) — это тип оперативной памяти используемой в компьютерах, разработанный как последователь DDR2 SDRAM.

DDR3 обещает сокращение потребления энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2, благодаря применению 90-нм (в дальнейшем 65-нм и 50-нм) технологии производства, что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR). «Dual-gate» транзисторы будут использоваться для сокращения утечки тока.

Чипы и модули
Стандартное название Частота памяти Время цикла Частота шины Передач данных в секунду Название модуля Пиковая скорость передачи данных
DDR3-800 100 МГц 10.00 нс 400 МГц 800 млн PC3-6400 6400 МБ/с
DDR3-1066 133 МГц 7.50 нс 533 МГц 1066 млн PC3-8500 8533 МБ/с
DDR3-1333 166 МГц 6.00 нс 667 МГц 1333 млн PC3-10600 10667 МБ/с
DDR3-1600 200 МГц 5.00 нс 800 МГц 1600 млн PC3-12800 12800 МБ/с
DDR3-1800 225 МГц 4.44 нс 900 МГц 1800 млн PC3-14400 14400 МБ/с
DDR3-2000 250 МГц 4.00 нс 1000 МГц 2000 млн PC3-16000 16000 МБ/с
DDR3-2133 266 МГц 3.75 нс 1066 МГц 2133 млн PC3-17000 17066 МБ/с
DDR3-2400 300 МГц 3.33 нс 1200 МГц 2400 млн PC3-19200 19200 МБ/с
Возможности DDR3 SDRAM компонентов:
  • Появление контакта асинхронного сброса
  • Support of system level flight time compensation
  • Встроенная калибровка портов ввода/вывода
  • Калибровка READ и WRITE DDR3 модулей:
  • Определение адресов и команд непосредственно в контроллере модуля (fly-by)
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки
Преимущества по сравнению с DDR2:
  • Более высокая полоса пропускания (до 2400 МГц)
  • Увеличенная эффективность при малом энергопотреблении (более длительное время работы батарей в ноутбуках)
  • Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
Недостатки по сравнению с DDR2:
  • Обычно более высокая CAS-латентность, но компенсируемая высокой полосой пропускания, таким образом увеличивающаяся полная производительность в определённых приложениях

DDR SDRAM

У этого термина существуют и другие значения, см. DDR. Модуль памяти DDR со 184 контактами Модули оперативной буферизированной памяти Micron PC2700 DDR SDRAM, содержащие 9 микросхем памяти. Дополнительная микросхема хранит ECC-коды класса SECDED (8 бит) для исправления одиночных и детектирования двойных ошибок на каждые 64 бита.

DDR SDRAM (от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM.

При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как в SDRAM, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200 МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификации JEDEC есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионов передач в секунду через один вывод данных».

Специфическим режимом работы модулей памяти является двухканальный режим.

Описание

Микросхемы памяти DDR SDRAM выпускались в корпусах TSOP и (освоено позднее) корпусах типа BGA (FBGA), производятся по нормам 0,13 и 0,09-микронного техпроцесса:

  • Напряжение питания микросхем: 2,6 В ± 0,1 В.
  • Потребляемая мощность: 527 мВт.
  • Интерфейс ввода-вывода: SSTL_2.

Ширина шины памяти составляет 64 бита, то есть по шине за один такт одновременно передаётся 8 байт. В результате получаем следующую формулу для расчёта максимальной скорости передачи для заданного типа памяти: (тактовая частота шины памяти) x 2 (передача данных дважды за такт) x 8 (число байтов передающихся за один такт). Например, чтобы обеспечить передачу данных дважды за такт, используется специальная архитектура «2n Prefetch». Внутренняя шина данных имеет ширину в два раза больше внешней. При передаче данных сначала передаётся первая половина шины данных по фронту тактового сигнала, а затем вторая половина шины данных по спаду.

Помимо удвоенной передачи данных, DDR SDRAM имеет несколько других принципиальных отличий от простой памяти SDRAM. В основном, они являются технологическими. Например, был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. Если используется два модуля памяти, то данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей из-за разного расстояния. Возникает проблема в выборе синхросигнала для их считывания, и использование QDS успешно это решает.

JEDEC устанавливает стандарты для скоростей DDR SDRAM, разделённых на две части: первая для чипов памяти, а вторая для модулей памяти, на которых, собственно, и размещаются чипы памяти.

Модули памяти

Графическое сравнение модулей памяти DDR, DDR2 и DDR3

Модули DDR SDRAM выполнены в форм-факторе DIMM. На каждом модуле расположено несколько одинаковых чипов памяти и конфигурационный чип Serial presence detect. На модулях регистровой (registered) памяти также располагаются регистровые чипы, буферизующие и усиливающие сигнал на шине, на модулях нерегистровой (небуферизованной, unbuffered) памяти их нет.

Характеристики модулей

  • Объём. Указывается в мегабайтах или гигабайтах.
  • Количество чипов (# of DRAM Devices). Кратно 8 для модулей без ECC, для модулей с ECC — кратно 9. Чипы могут располагаться на одной или обеих сторонах модуля. Максимальное умещающееся на DIMM количество — 36 (9×4).
  • Количество строк (рангов) (# of DRAM rows (ranks)).

Чипы, как видно из их характеристики, имеют 4- или 8-битную шину данных. Чтобы обеспечить более широкую полосу (например, DIMM требует 64 бита и 72 бита для памяти с ECC), чипы связываются в ранги. Ранг памяти имеет общую шину адреса и дополняющие друг друга линии данных. На одном модуле может размещаться несколько рангов. Но если нужно больше памяти, то добавлять ранги можно и дальше, установкой нескольких модулей на одной плате и используя тот же принцип: все ранги сидят на одной шине, только Chip select разные — у каждого свой. Большое количество рангов электрически нагружает шину, точнее контроллер и чипы памяти, и замедляет их работу. Отсюда начали применять многоканальную архитектуру, которая позволяет также независимо обращаться к нескольким модулям.

  • Задержки (тайминги): CAS Latency (CL), Clock Cycle Time (tCK), Row Cycle Time (tRC), Refresh Row Cycle Time (tRFC), Row Active Time (tRAS).

Характеристики модулей и чипов, из которых они состоят, связаны.

Объём модуля равен произведению объёма одного чипа на число чипов. При использовании ECC это число дополнительно умножается на коэффициент 8/9, так как на каждый байт приходится один бит избыточности для контроля ошибок. Таким образом, один и тот же объём модуля памяти можно набрать большим числом (36) маленьких чипов или малым числом (9) чипов большего объёма.

Общая разрядность модуля равна произведению разрядности одного чипа на число чипов и равна произведению числа рангов на 64 (72) бита. Таким образом, увеличение числа чипов или использование чипов x8 вместо x4 ведёт к увеличению числа рангов модуля.

Пример: Варианты модуля 1Гб PC2100 Registered DDR SDRAM

Объём модуляКоличество чиповОбъём чипаОрганизацияКоличество строк (рангов)
1 Гб36256 Мбит64М x 42
1 Гб18512 Мбит64М x 82
1 Гб18512 Мбит128М x 41

В данном примере сравниваются возможные компоновки модуля серверной памяти объёмом 1 Гб. Из представленных вариантов следует предпочесть первый или третий, так как они используют чипы x4, поддерживающие продвинутые методы исправления ошибок и защиты от сбоев. При необходимости использовать одноранговую память остаётся доступен только третий вариант, однако в зависимости от текущей стоимости чипов объёмом 256 Мбит и 512 Мбит он может оказаться дороже первого.

Спецификация модулей памяти

Название модуляТип чипаТактовая частота шины памяти, МГцМаксимальная теоретическая пропускная способность, МБ/с
одноканальный режимдвухканальный режим
PC1600*DDR20010016003200
PC2100*DDR26613321334267
PC2400DDR30015024004800
PC2700*DDR33316626675333
PC3200*DDR40020032006400
PC3500DDR43321734676933
PC3700DDR46623337337467
PC4000DDR50025040008000
PC4200DDR53326742678533
PC5600DDR700350560011200

Примечание 1: стандарты, помеченные символом «*», официально сертифицированы JEDEC. Остальные типы памяти не сертифицированы JEDEC, хотя их и выпускали многие производители памяти, а большинство выпускавшихся в последнее время материнских плат поддерживали данные типы памяти.

Примечание 2: выпускались модули памяти, работающие и на более высоких частотах (до 350 МГц, DDR700), но эти модули не пользовались большим спросом и выпускались в малом объёме, кроме того, они имели высокую цену.

Размеры модулей также стандартизированы JEDEC.

Надо заметить, что нет никакой разницы в архитектуре DDR SDRAM с различными частотами, например, между PC1600 (работает на частоте 100 МГц) и PC2100 (работает на частоте 133 МГц). Просто стандарт говорит о том, на какой гарантированной частоте работает данный модуль.

Модули памяти DDR SDRAM можно отличить от обычной SDRAM по числу выводов (184 вывода у модулей DDR против 168 выводов у модулей с обычной SDRAM) и по ключу (вырезы в области контактных площадок) — у SDRAM два, у DDR — один. Согласно JEDEC, модули DDR400 работают при напряжении питания 2,6 В, а все более медленные — при напряжении 2,5 В. Некоторые скоростные модули для достижения высоких частот работают при больших напряжениях, до 2,9 В.

Большинство последних чипсетов с поддержкой DDR позволяли использовать модули DDR SDRAM в двухканальном, а некоторые чипсеты и в четырёхканальном режиме. Данный метод позволяет увеличить в 2 или 4 раза соответственно теоретическую пропускную способность шины памяти. Для работы памяти в двухканальном режиме требуются 2 (или 4) модуля памяти. Рекомендуется использовать модули, работающие на одной частоте, имеющие одинаковый объём и временны́е задержки (латентность, тайминги). Ещё лучше использовать абсолютно одинаковые модули.

Сейчас модули DDR практически вытеснены модулями типов DDR2 и DDR3, которые в результате некоторых изменений в архитектуре позволяют получить бо́льшую пропускную способность подсистемы памяти. Ранее главным конкурентом DDR SDRAM являлась память типа RDRAM (Rambus), однако ввиду наличия некоторых недостатков со временем была практически вытеснена с рынка.

В этом разделе не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена.
Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники.
Эта отметка установлена 28 июня 2010 года.

FAQ по DDR3

Что за стандарт такой — DDR3? Память Synchronous Dynamic Random Access Memory, третье поколение стандарта Double Data Rate — попросту DDR3 SDRAM, представляет собой новое поколение памяти DDR, идущей на смену нынешнего поколения DDR2 SDRAM. Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, мы можем говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). При сохранении основного строения архитектуры, ключевым изменениям подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O. Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту. Среди основных преимуществ нового стандарта, прежде всего, стоит отметить меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у ходовых образцов модулей DDR2. Основной причиной экономии энергопотребления называют использование нового поколения чипов памяти DDR3, выпуск которых налажен у большинства производителей с соблюдением норм 90 нм техпроцесса. Это позволяет снизить рабочие напряжения чипов – до 1,5 В у DDR3, что ниже 1,8 В у DDR2 или 2,5 В у DDR; плюс, дополнительно снизить рабочие токи за счёт использования транзисторов с двумя затворами для снижения токов утечки. На практике это приведёт к тому, что, к примеру, у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667. Имеет ли новая оперативная память DDR3 какое-то отношение к графической памяти GDDR3 в видеокартах или приставках Xbox 360? Нет, не имеет. Под схожими названиями скрывается разная архитектура, с совершенно несхожими схемами буферизации и т.д. Так что отныне лучше не смешивать термины «DDR3» и «GDDR3». Каковы основные функциональные особенности памяти DDR3? Основные особенности архитектуры чипов DDR3 SDRAM таковы:

  • Появление контакта асинхронного сброса (RESET)
  • Поддержка компенсации System Level Flight Time
  • «Зеркальная» цоколёвка чипов с удобным расположением контактов для сборки модуля DIMM (On-DIMM Mirror friendly DRAM ballout)
  • Появление скоростного буфера CWL (CAS Write Latency)
  • Внутрикристальный модуль калибровки I/O
  • Калибровка READ и WRITE
  • Типичные (ожидаемые) маркировки чипов в зависимости от скорости: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600

Основные особенности модулей DDR3:

  • «Сетевая» Fly-by топология командной/адресной/управляющей шины с внутримодульной (On-DIMM) терминацией
  • Прецизионные внешние резисторы (ZQ resistors) в цепях калибровки

Будет ли DDR3 быстрее чем DDR2, в чём плюсы и минусы этих типов памяти? Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 – хотя бы потому, что теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц – 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц – 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц — 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц — 533 МГц), а у DDR – и вовсе 200 МГц — 600 МГц (100 МГц — 300 МГц). Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный. Буфер предварительной выборки (prefetch buffer), надо отметить, достаточно важный элемент современных модулей памяти, поскольку он отвечает за кэширование данных перед тем, как они будут востребованы. Таким образом, предварительная 8-битная выборка DDR3 позволяет говорить о работе I/O шин модуля на тактовой частоте, в 8 превышающей тактовую частоту. Второй причиной роста производительности DDR3 можно смело назвать новую схемотехнику динамической внутрикристальной терминации (Dynamic On-Die Termination), калибровка которой производится в процессе инициализации для достижения оптимального взаимодействия памяти и системы. Наконец, в отличие от DDR2, где терминация применялась только частично, память DDR3 обладает полной терминацией, включая адреса и команды. Преимуществами DDR3 по сравнению с DDR2 можно назвать более высокие тактовые частоты – до 1600 МГц, рост производительности при меньшем энергопотреблении (соответственно, более продолжительную работу ноутбуков от батарей), а также улучшенный термодизайн. Минусом DDR3 против DDR2 можно назвать более высокую латентность. Кто разрабатывает, продвигает и намерен поддерживать память стандарта DDR3? В разработке и утверждении стандарта DDR3 принимали участие все ведущие компании IT-индустрии, входящие в стандартообразующий комитет по DDR3 при комиссии JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council). Сейчас в работе секции по DDR3 принимают участие более 270 компаний, среди которых можно назвать Intel, AMD, Samsung, Qimonda, Micron, Corsair, OCZ и другие. Почему эффективный «срок рыночной жизни» памяти DDR2 оказался столь коротким – по сравнению с DDR, и не ждёт ли такая же скоротечная судьба память DDR3? На самом деле надо помнить, что на заре развития технологии DDR, как говорится, «единства в товарищах» среди производителей процессоров и чипсетов не было. Ветераны IT-рынка запросто припомнят бушевавшие в то время «войны стандартов», львиную долю «благодарностей» за которые справедливо заслужила компания Rambus и её RDRAM. Из-за этого, неплохая изначально память DDR достаточно долгое время топталась на месте и за более чем пять лет её тактовая частота выросла всего лишь до 500 МГц, а DDR2 успела проделать путь с DDR2-533 до DDR2-1066 всего лишь за какие-то три года – что, кстати, типичный срок жизни для архитектуры памяти. Увы, на нынешнем этапе архитектура DDR2 начинает фактически «упираться» в потолок своих возможностей, что завязано на тактовые частоты процессоров и топологию шин. Сейчас пока рано говорить о сроке жизни DDR3, однако не будет ничего невероятного, если через три года ей на смену придёт что-то вроде DDR4. Такова жизнь. Так каков же «потолок» тактовых частот модулей памяти DDR3 DIMM? Пока что речь идёт о чипах DDR3-1600, на базе которых будут выпускаться модули PC3-12800 с пропускной способностью до 12,80 Гб/с. Однако в документации Intel уже встречалось упоминание того, что DDR3 теоретически может быть масштабирована до частот вплоть до 2133 МГц. Есть ли физическая разница между модулями DDR2 и DDR3? Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК будут обладать 240-контактной структурой, привычной нам по модулям DDR2; однако физической совместимости не будет благодаря различному расположению ключей DIMM. Такая «защита от дурака», предотвращающая установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрена не только по причине поконтактной несовместимости модулей, но и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативной памяти. Какие типы модулей DDR3 будут типичным явлением на рынке памяти? Ожидается, что модули памяти DDR3 будут выпускаться в вариантах Registered DIMM, Unbuffered DIMM, FB-DIMM, SO-DIMM, Micro-DIMM и 16-бит/32-бит SO-DIMM. Относительно форм-факторов памяти DDR3 – что критично для рынка серверов, можно сказать, что будут представлены 1,2-дюймовые (30 мм) модули для 1U серверов, типичные для индустрии с 1999 года, а также VLP-модули высотой 18,3 мм для Blade-серверов, 38 мм модули для 2U серверов и даже более «высокие» модули. Какова будет типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM? Ещё на стадии тестирования стандарта DDR3 производители работали с чипами ёмкостью 512 Мбит и создавали 1 Гб модули; теоретически ёмкость модулей DDR3 может достигать 8 Гбит. Типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM по мере роста популярности составит 1 Гб – 4 Гб, теоретически – до 32 Гб. Что касается модулей DDR3 SO-DIMM для мобильных ПК, появление образцов которых ожидается в ближайшее время, а начало массового производства (по крайней мере, компанией Samsung) запланировано на начало 2008 года, типичные ёмкости будут располагаться в диапазоне 512 Мб – 4 Гб. Первые модули памяти DDR3 DIMM, безусловно, будут недешёвым явлением. Как скоро ожидается снижение цен на модули памяти DDR3 DIMM до нормального «массового» уровня? Ожидается, что уже в 2007 году производители модулей памяти возьмут агрессивный старт на рынке DDR3, и, по мере становления и нарастания массовости платформ нового поколения, память будет дешеветь. По предварительным прогнозам Intel, память DDR3 получит определённое распространение уже в текущем году, а в 2008 году можно будет говорить об её массовости – по крайней мере, прогнозы iSuppli это подтверждают. Стандарт DDR3 есть, скоро будут платы, а успеют ли производители с чипами DDR3 и модулями DIMM к анонсу? Безусловно. Индустрия в целом готова к появлению DDR3, множество производителей чипов и памяти уже объявили о валидации своих изделий у Intel и готовности к массовому производству. Полную линейку чипов, прошедших процесс тестирования, квалификации и валидации у Intel можно посмотреть на этой странице:

Validated DDR3 800/1066MHz SDRAM Components

Производители модулей также объявили о полной готовности. Так, компания Corsair уже представила 1 Гб модули DDR3-1066 DHX с таймингами 6-6-6-24, а на перспективу в серии DOMINATOR уже в этом квартале готовится выпуск модулей DDR3-1333 и выше. Компания OCZ Technology на днях представила свои наборы модулей PC3-8500 (1066 МГц, CL 7-7-7-21) в серии Gold Series (с позолоченными радиаторами XTC), в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G10661GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G10662GK), а также наборы модулей PC3-10666 (1333 МГц, CL 9-9-9-26) той же серии в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G13331GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G13332GK). Какое количество слотов под модули DDR3 DIMM будет типичным для новых систем?

Первоначально идея использования ёмких 1 Гбит и 2 Гбит чипов преследовала цель уменьшить количество слотов на плате до двух без необходимости жертвовать количеством поддерживаемой памяти. Однако типичный покупатель всё же по-прежнему предпочитает апгрейдиться, осообенно пока память недёшева. Именно поэтому типичная материнская плата по-прежнему будет обладать четырьмя слотами DDR3 DIMM.

Когда поддержка DDR3 будет реализована компанией AMD?

Компания AMD, в числе других лидеров компьютерной индустрии, объявила о поддержке и планах перехода на память DDR3, однако лишь в отдалённой перспективе. Исследования в области поддержки DDR3 компания AMD ведёт в близком сотрудничестве с SimpleTech. Уже достоверно известно, что интегрированные контроллеры памяти процессоров AMD с рабочим названием Barcelona будут поддерживать модули DDR2-1066. Модули DDR2-1066 сейчас проходят процедуру стандартизации в организации JEDEC, и AMD планирует именно с помощью продления жизни DDR2 отсрочить переход на DDR3. Вспомните, та же самая ситуация складывалась и при переходе на DDR2, тогда AMD также достаточно долго не могла распрощаться с DDR. Ожидается, что впервые память DDR3 будет поддерживаться процессорами AMD под разъём AM3, и показаны такие чипы будут не ранее третьего квартала 2008 года. Сейчас специалисты AMD называют переход на массовое использование памяти DDR3 в настольных системах преждевременным – мол, мы подождём 2009 года, когда этот тип памяти станет достаточно массовым и относительно недорогим. Хотя, уже есть информация, что тестирование и валидация чипов компанией AMD, начавшаяся в 2007 году, «встанет на крыло» уже в 2008 году. Что ж, компании Intel вновь предложена роль «локомотива индустрии» в проталкивании новых стандартов. С другой стороны, нельзя не признать, что такое положение – за счёт предложения действительно передовых технологий и производительных решений, регулярно помогает ей, что называется, «снимать сливки». Так что же AMD? Увы, новое процессорное ядро с рабочим названием Griffin, появление которого можно ожидать в начале 2008 года, также будет обладать лишь встроенным контроллером памяти DDR2 — хоть и продвинутым, сдвоенным, с двумя независимыми режимами работы, но, тем не менее, без малейшего намёка на поддержку DDR3. Поскольку производственный цикл процессоров AMD в целом худо-бедно укладывается в 18-месячный цикл, так, приблизительно, и получится, что чипы AMD обзаведутся поддержкой DDR3 не ранее 2009 года, а то и позже. Какие чипсеты с поддержкой DDR3 от Intel можно ожидать в ближайшее время? Что и когда ожидается в рознице? Разумеется, в числе первых системных плат с поддержкой DDR3 стоит ожидать новинки на чипсетах нового поколения Intel 3 Series — те что носили собирательное рабочее название Intel Bearlake. Эти чипсеты будут поддерживать новые процессоры Intel Core c FSB 1333 МГц и новую оперативную память DDR3-1333. Впрочем, сразу стоит оговориться, что не каждый чипсет из семи, ожидаемых в серии Bearlake — X38, P35, G35, G33, G31, Q35 и Q31, будет работать с DDR3 (равно как и с новыми FSB 1333 МГц процессорами) – традиционно, речь идёт лишь о чипсетах для High-end и Mainstream рынка. Полная официальная информация о чипсетах серии Intel 3 Series Bearlake появится на нашем сайте достаточно скоро. Для статьи FAQ по DDR3 мы подготовили специальную «облегчённую» таблицу, с уточнением поддержки стандартов оперативной памяти.

Спецификации чипсетов серии Intel 3 Series (Bearlake), поддержка DDR3

ЧипсетX38P35G35G33G31Q35Q33
Рабочее названиеBearlake XBearlake PBroadwaterBearlake GBearlake GZBearlake QBearlake QF
Примерная дата анонса3 кварталИюнь3 кварталИюнь3 квартал
Сегмент рынкаЭнтузиасты, геймерыMainstreamValueBusiness MainstreamBusiness Value
Поддержка CPUCore2 Extreme++—————
Core2 Quad+++++++
Core2 Duo+++++++
Yorkdale++++—++
Wolfdale+++++++
FSB1333 МГц+++++++
1066 МГц+++++++
800 МГц++++—++
ПамятьСлотов4 (2 DIMM х 2 канала)
Max. ёмкость8 Гб
ПоддержкаDDR3 / DDR2DDR2DDR3 / DDR2DDR2
FSB в сочетании с памятью1333 / DDR3-1333+——————
1333 / DDR3-1066++—+———
1333 / DDR3-800++—+———
1066 / DDR3-1066++—+———
1066 / DDR3-800++—+———
800 / DDR3-800++—+———
1333 / DDR2-800++++—++
1333 / DDR2-667++++—++
1066 / DDR2-800+++++++
1066 / DDR2-667+++++++
800 / DDR2-800+++++++
800 / DDR2-667+++++++
Встроенная графикаИнт. ядро——4 поколение3,5 поколение
DirectX——DX10DX9DX9DX9DX9
Кодек VC-1——+————
Внешнее видеоPCIe 2х16 (5 Гб/с)PCIe x16
Южный мостICH9++—+—++
ICH9R++—+—++
ICH9DO+————+—
ICH9DH++—+———
ICH8——+————
ICH8R——+————
ICH8DH——+————
ICH7————+——
ICH7DH————+——
ТехнологииPCI Express 2.0+——————
AMT 3.0+————+—
VT-D+————+—
TXT (LaGrande)+————+—
ПлатформаVPro—————+—
Viiv+++++——

Как видно из таблицы, первые чипсеты с поддержкой DDR3 — P35 и G33, будут представлены совсем скоро, в июне, с прицелом на поставки первых плат в июне-июле. Разумеется, первые системные платы на этих чипсетах в розничном исполнении будут показаны в дни июньской выставки Computex 2007 в Тайбэе, однако сказать сейчас, многие ли производители рискнут начать поставки своих новинок с поддержкой DDR3 – пока большой вопрос. Впрочем, уже сейчас можно точно сказать, что ряд компаний готовит к производству системные платы с поддержкой как DDR3, так и DDR2. Топового чипсета X38 с двумя слотами PCI Express x16, идущего на замену флагману Intel 975X, придётся подождать до осени. Когда поддержка DDR3 будет реализована в мобильных платформах Intel? Мобильная платформа Intel под кодовым названием Santa Rosa, появление которой ожидается во втором полугодии 2007, будет работать исключительно с памятью DDR2, это заложено в архитектуре чипсетов Intel Mobile 965 Express. То же самое можно сказать об обновлённой версии платформы Santa Rosa с рабочим названием » Santa Rosa+», изменения в которой будут связаны, главным образом, с новыми мобильными процессорами архитектуры Penryn. Другое дело — новое поколение мобильной платформы Intel с рабочим названием Montevina, которая предположительно будет представлена через год, ближе к лету 2008 года. По предварительным данным, платформа Montevina будет обладать полностью обновлённой обвязкой 45 нм мобильных процессоров с архитектурой Penryn. В частности, модельный ряд чипсетов для платформы Montevina под кодовым названием Cantiga с TDP порядка 15 Вт будет оснащаться южными мостами ICH9M, беспроводными модулями Shiloh (Wi-Fi) или Echo Peak (Wi-Fi/WiMAX), LAN-модулем Boaz. Интегрированные версии чипсетов Cantiga будут обладать 457 МГц интегрированной графикой поколения 4.5 (фактически, улучшенная версия грядущего чипсета Calistoga с Gen 4 графикой GMA X3100). Впрочем, для нас в рамках сегодняшнего материала самым интересным является то, что чипсеты Cantiga будут поддерживать FSB 1066 МГц, а также модули памяти SO-DIMM стандартов DDR2-667 (DDR2-800 поддерживаться не будет) и DDR3-800. Увы, в мобильном исполнении – начиная только с DDR3-800, но и это уже неплохо в плане экономичности, да и производительности. О более далёких перспективах DDR3 для мобильных платформ информации пока нет. Стоит ли в ближайшее время ожидать чипсеты для системных плат с поддержкой DDR3 от других производителей? Говоря о чипсетах DDR3, сразу же стоит оговориться, что пока что речь может идти лишь о поддержке платформ с процессорами Intel. Причина понятна: пока не появятся процессоры AMD с интегрированным контроллером памяти DDR3, говорить не о чем. Компания SiS обещает появление рабочих образцов первых собственных чипсетов с поддержкой DDR3 и встроенной DX10 графикой Mirage 4 уже в ближайшее время. Новые чипсеты, по предварительной информации, получат названия SiS673 и SiS673 FX. Чипсет SiS673 будет поддерживать процессоры Intel с FSB 1066 МГц и 2-канальную память DDR2-800/DDR3-1066, более производительный чипсет SiS673 FX сможет поддерживать DDR2-1066/DDR3-1333 и процессоры с FSB 1333 МГц. Массовое производство SiS673 может начаться в третьем квартале 2007. Первый дискретный северный мост SiS665 будет представлен ближе к концу 2007 года. Начало массового производства SiS665 сейчас позиционируется на 2008 год. Предполагается, что производством чипсета займется UMC с использованием 80-нм техпроцесса. Скорее всего, SiS665 будет поддерживать сразу два стандарта: DDR2 и DDR3. Согласно планам компании, SiS665 будет поддерживать шину PCI Express 2.0. Для рынка мобильных решений SiS планирует представить IGP-чипсеты с поддержкой DirectX 10 и памяти DDR3. Чипсет SiS M673 будет поддерживать «старые» процессоры Pentium 4 NetBurst, M673MX – Pentium M, оба будут работать с DDR3 и DDR2 с рабочими частотами 533/667 МГц. Оба чипсета – SiS M673 и SiS M673MX, будут работать с южными мостами SiS 968/969. Компания VIA Technology планирует представить чипсеты PM960 и PT960, поддерживающие процессоры Intel с шиной FSB 1333 МГц, память DDR3 и новый интерфейс PCI Express 2.0. Интегрированная версия — VIA PM960, с новым графическим ядром S3 Chrome 9 HD (450 МГц), станет основной для ПК класса Vista Premium Ready. Дискретный северный мост PT960 будет поддерживать одноканальную память DDR2-1066/DDR3-1333. Мы надеемся, что эта публикация поможет вам разобраться с новым стандартом оперативной памяти DDR3. Будем рады получить ваши замечания, критику, исправления и дополнения по этой сборке вопросов и ответов. В случае, если среди опубликованного нет ответа на ваш вопрос – пишите, FAQ будет постоянно дополняться и совершенствоваться.

DDR3 SDRAM

У этого термина существуют и другие значения, см. DDR. Модули памяти DDR3, представленные Samsung на Intel Developer Forum 2008 Модуль памяти DDR3

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.

У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (вначале — 90 нм, в дальнейшем — 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Существует вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более низким напряжением питания, 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10 %.

Также существует модули памяти DDR3U (U означает Ultra Low Voltage) с напряжением питания 1,25 В, что ещё на 10 % меньше, чем принятое для DDR3L. Финальная спецификация на все три разновидности (DDR3, DDR3L, DDR3U) была опубликована на сайте JEDEC в декабре 2010 с дополнениями, касающимися стандартов DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, а также DDR3U-1600 в октябре 2011.

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Типичные объёмы обычных модулей памяти DDR3 составляют от 1 ГБ до 16 ГБ. В виде SO-DIMM обычно реализуются модули ёмкостью до 8 ГБ. С 2013 года выпускаются модули SO-DIMM 16 ГБ, но они редки и имеют ограниченную совместимость.

Производители микросхем памяти

В 2012—2013 годах более 10 % рынка поставок микросхем памяти DDR3 занимали

  • Samsung — около 40 %
  • Hynix — 24 %
  • Elpida Memory (в 2013 году выкуплена компанией Micron Technology) — 12 %
  • Micron — 12 %

Небольшую долю также имели тайваньские Nanya (Elixir, Nanya Technology Corporation) и Winbond.

> См. также

  • DDR2 SDRAM
  • Двухканальный режим
  • Трёхканальный режим
  • DDR4 SDRAM
  1. Ilya Gavrichenkov. DDR3 SDRAM: Revolution or Evolution?. Page 2 (англ.), Xbit labs (07/09/2007). Архивировано 16 декабря 2013 года. Дата обращения 15 декабря 2013.
  2. Дмитрий Беседин. Первый взгляд на DDR3 Изучаем новое поколение памяти DDR SDRAM, теоретически и практически. IXBT (15 мая 2007). Дата обращения 15 декабря 2013.
  3. Samsung First With Lower Cost, Power Saving 30nm DDR3 DRAM — PCWorld
  4. Samsung представляет первые в мире 30-нанометровые микрочипы DDR3 DRAM — Железо и гаджеты — Оперативная память — Компьюлента
  5. Память DDR3L — низковольтная версия DDR3 // 3DNews, 21.06.2008. Дата обращения 6 июня 2016.
  6. DEFINITION OF THE SSTE32882 REGISTERING CLOCK DRIVER WITH PARITY AND QUAD CHIP SELECTS FOR DDR3/DDR3L/DDR3U RDIMM. Дата обращения 18 февраля 2018.
  7. 16 GB SO-DIMM RAM modules: Everything you need to know, techrepublic (September 23, 2015). Дата обращения 27 октября 2018.
  8. Модули DDR3 эксплуатировать с процессорами Skylake нежелательно, overclockers.ru (29.09.2015).
  9. Joel Hruska. Forget Moore’s law: Hot and slow DRAM is a major roadblock to exascale and beyond (англ.), extremetech (July 14, 2014). Дата обращения 29 января 2017.
  10. Обзор комплекта памяти DDR3 Team Xtreem TXD34096M2000HC9DC-L. Дата обращения 18 февраля 2018.
  11. Обзор DDR3-2933 МГц Apacer Thunderbird 2×4 ГБ. Дата обращения 18 февраля 2018.
  12. https://www.synopsys.com/Company/Publications/DWTB/Pages/dwtb-ddr4-bank-groups-2013Q2.aspx «When the original SDR (single data rate) SDRAM was introduced, there was no need for a prefetch. Every time a column cycle was executed, it accessed one word of data, and that was pushed out of the SDRAM. … DDR3’s prefetch of eight»
  13. Дмитрий Беседин. Первый взгляд на DDR3 Изучаем новое поколение памяти DDR SDRAM, теоретически и практически. IXBT (15 мая 2007). Дата обращения 15 декабря 2013. «используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт. То есть ширина внутренней шины данных микросхем памяти окажется уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Очевидно, такая схема передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» будет называться схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch). »
  14. 1 2 https://www.discobolusdesigns.com/personal/jedex_stec_modules_20051020.pdf
  15. DDR3 SDRAM Market Overview. Архивировано 15 декабря 2013 года. Дата обращения 15 декабря 2013.
  16. Anton Shilov. Commodity DRAM Price Rebound Results in Unusually Strong First Quarter Revenue. Samsung and SK Hynix Retain Leadership in DRAM Market (англ.), Xbit Labs (05/13/2013). Архивировано 16 декабря 2013 года. Дата обращения 15 декабря 2013.

> Литература

  • В. Соломенчук, П. Соломенчук. Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8.
  • Сергей Пахомов, Энциклопедия современной памяти // КомпьютерПресс 10’2006
  • JEDEC
  • Ilya Gavrichenkov. DDR3 SDRAM: Revolution or Evolution?. Page 2 (англ.), Xbit labs (07/09/2007). Архивировано 16 декабря 2013 года. Дата обращения 15 декабря 2013.
  • Дмитрий Беседин. Первый взгляд на DDR3 Изучаем новое поколение памяти DDR SDRAM, теоретически и практически. IXBT (15 мая 2007). Дата обращения 15 декабря 2013.
  • Как выбрать оперативную память DDR3? (рус.)

Нюансы разгона памяти DDR3 на платформе Nehalem на примере модулей G.Skill и материнской платы DFI X58-T3H6

После выхода платформы Nehalem требования к памяти DDR3 немного возросли и для безопасного функционирования новых процессоров напряжение питания на модулях не должно превышать 1,65 В при максимально возможных 1,87 В, тогда как лучшие оверклокерские планки работали при 1,9 В и выше. Да и напряжения питания отдельных блоков CPU также имеют определенные ограничения, что затрудняет разгон для достижения очень высоких частот как самого процессора, так и памяти. Естественно, производители памяти вскоре представили трехканальные комплекты высокочастотных модулей, рассчитанных на рабочее напряжение 1,65 В, вот только заставить их функционировать на частоте свыше 1800 МГц оказалось не так легко.
Как это работает?
Проблема разгона планок после 1800 МГц заключается в том, что контроллер памяти, перенесенный в процессор Core i7, а также кэш-память третьего уровня (вся эта часть процессора называется Uncore) работают на частоте в два раза превышающей эффективную частоту модулей. И если со стандартным режимом никаких проблем не наблюдается — при частоте планок вплоть до 1600 МГц частота контроллера памяти и L3-кэша составит лишь 3,2 ГГц, то с памятью DDR3-1866/2000 этот показатель достигнет 3,7-4 ГГц, что уже сказывается на стабильности работы CPU. В таком случае необходимо поднимать напряжение на контроллере памяти (в BIOS Setup это пункты Uncore Voltage, QPI/VTT Voltage, CPU VTT Voltage, QPI/DRAM Core Voltage, FSB VTT Voltage и пр.) со стандартных 1,15 В до 1,4~1,6 В (официально безопасные 1,35 В; не путать с напряжением входных/выходных усилителей контроллера памяти процессора — Vddq, которое равно напряжению на модулях), в зависимости от экземпляра процессора. Кстати, производители оверклокерской памяти как раз об этом и заявляют — для модулей DDR3-1866 и выше устанавливать напряжение Uncore именно на таких значениях.
Вот только после поднятия напряжения на контроллере памяти до 1,4 В начинает расти температура процессора, работающего даже в номинальном режиме, и если вы не являетесь счастливым обладателем кондиционера, а в помещении жарким летним днем около 30 °C, то воздушная система охлаждения перестает справляться даже с разгоном планок до уровня 1800 МГц (3,6 ГГц на контроллере). С эффективным кулером и чуть меньшей температурой вполне вероятно без проблем заставить работать память на частоте 1900 МГц при напряжении на Uncore около 1,48-1,5 В. А вот для более высоких частот потребуется напряжение уровня 1,5-1,6 В, что выливается в требование использовать для процессора водяное охлаждение, или даже каскадную установку и жидкий азот. Конечно, может быть так, что экземпляр Core i7 без проблем будет функционировать при частоте кэша третьего уровня 4 ГГц (DDR3-2000) и напряжении 1,4 В, а может что и вовсе откажется работать с 1800-мегагерцовой памятью при таком значении.
Но и это еще не все. Как известно, частоты памяти, процессора микроархитектуры Nehalem и различных блоков в нем формируются за счет перемножения определенного коэффициента (на блок-схеме множители xM1, xM2, xM3 и xM4) на опорную частоту (Bclk), равную в номинале 133 МГц.


Так, например, рабочая частота 3,2 ГГц процессора Core i7-965 получается при использовании коэффициента умножения x24, памяти DDR3-1333 — x10 (на самом деле используется x5, но он интерпретируется в эффективный), а частота встроенной части северного моста в процессор уже будет формироваться за счет коэффициента x20, что даст в итоге 2,66 ГГц на Uncore. При использовании иной модели процессора или памяти коэффициенты, естественно, будут совершенно другие:
* — для экстремальных версий процессоров указан также максимальный множитель
** — в скобках указаны не официально поддерживаемые множители; все множители эффективные, т.е. реальные в два раза меньше
Также при разгоне за счет поднятия опорной частоты необходимо (в зависимости от того, что разгоняется) снижать определенные множители на памяти или процессоре. А теперь самое интересное — при поиске максимальной стабильной частоты работы модулей при тех или иных таймингах придется иногда подбирать комбинацию множителей процессора и памяти с частотой Bclk. Т.е. планки памяти запросто могут функционировать при 200-мегагерцовой опорной частоте с меньшим коэффициентом умножения, тогда как при Bclk 166 МГц, но с большим множителем, откажутся даже запускаться, хотя результирующая частота в обоих случаях будет одинаковой.
Теперь что касается напряжения питания памяти, различных блоков процессора и остальных компонентов системы. Разгоняя комплекты памяти DDR3-2000 и DDR3-1866 (вернее, пытаясь их заставить работать на своей номинальной частоте) на нашей тестовой материнской плате DFI X58-T3H6 с процессором Intel Core i7-965 поднимать напряжения на всех компонентах, кроме модулей, процессора (использовались большие множители, и его частота находилась на уровне 3,5-4 ГГц) и Uncore, не было необходимости. Так как память изначально была высокочастотная и рассчитанная на 1,65 В, напряжение питания также не менялось. При необходимости его можно повышать до уровня 1,87 В, а то и выше, — главное, чтобы дельта между этим значением и напряжением на контроллере равнялась около 0,5 В, иначе процессор может выйти из строя. Напряжение питания блока Uncore, как уже отмечалось, может быть безопасно поднято до 1,35 В. После этого значения необходимо усиленное охлаждения процессора — с эффективным воздушным кулером максимальное напряжение может достигать 1,5 В, далее, если, конечно, позволит материнская плата, уже требуется СВО, «фреонка» или жидкий азот для кратковременных бенчинг-сессий.
Естественно, становится интересно, зачем использовать высокочастотную память, если даже для того, чтобы заставить ее работать в номинале требуется поднятие напряжений и эффективное охлаждение CPU? Дело в том, что для обычного пользователя подобные комплекты ни к чему, ему достаточно памяти DDR3-1600, а вот при экстремальном оверклокинге такая память не будет влиять на потенциал процессора. Также можно использовать ее при более низкой частоте с меньшими таймингами.
Для тестирования использовалось два комплекта памяти G.SKILL с рабочей частотой 1866 и 2000 МГц и объемом 6 ГБ каждый. В качестве платформы была взята плата DFI X58-T3H6, которая хоть и относится к mATX-решениям, но обладает всеми необходимыми настройками для разгона, ничем не отличающимися от таковых в BIOS Setup полноценных продуктов на базе чипсета Intel X58 Express.
G.SKILL F3-15000CL9T-6GBTD и F3-16000CL9T-6GBTD
Оба рассматриваемых комплекта поставляются в крупном блистере с этикеткой-вкладышем, на которой ничего особого не отмечено, кроме иллюстрации, показывающей эффективность работы системы охлаждения памяти.

Правда, такой этикеткой может похвастаться лишь набор с 1866-мегагерцовыми планками.

Модули F3-16000CL9T-6GBTD и F3-15000CL9T-6GBTD относятся к новой серии Trident и отличаются от рассмотренных ранее комплектов памяти этого производителя обновленными алюминиевыми радиаторами черного цвета. Аналогично планкам Пи-серии высота системы охлаждения Trident накладывает некоторые ограничения по использованию процессорных кулеров. Например, на плате Intel DX58SO кулер башенного типа (Noctua NH-U12P) придется расположить поперек платы.

По конструкции радиатор напоминает СО памяти серии Blade от OCZ: одна половинка имеет сложный профиль (в данном случае, даже с ребрами), увеличивающий площадь рассеивания тепла, а вторая представляет собой обычную пластину, прикрученную к основной. Дополнительно хитспридеры приклеены к чипам памяти с помощью «термолипучки». Из-за скоса на краю ребер устанавливать планки в материнскую плату не очень удобно — с ребрами одной высоты было бы куда проще.

Комплект G.SKILL F3-15000CL9T-6GBTD рассчитан на частоту 1866 МГц при таймингах 9-9-9-24 и напряжении 1,65 В — немного высоковаты задержки, хотя tRAS ниже, чем у некоторых конкурирующих продуктов.

Для набора F3-16000CL9T-6GBTD характерны такие же значения таймингов и напряжения питания памяти, но рабочая частота уже составляет 2000 МГц. Как отмечалось в начале статьи объем каждого трехканального набора равен 6 ГБ.

В SPD модулей из первого комплекта приписаны частоты 1333 (тайминги 9-9-9-24), 1184 (8-8-8-22), 1036 (7-7-7-19) и 888 (6-6-6-16) МГц, при этом в двух одинаковых профилях XMP с разным названием прописаны лишь номинальные частоты и напряжение.

Но это по версии Lavalys Everest. В CPU-Z помимо частот и напряжения для двух профилей XMP уже указаны задержки, и даже еще одна частота в SPD — 1482 МГц с таймингами 10-11-11-27.

Данные в SPD набора F3-16000CL9T-6GBTD соответствуют 1866-мегагерцовым модулям, но профиль XMP всего лишь один, в котором уже прописаны как основные, так и второстепенные тайминги.

Если судить по утилите MemSet, то расхождений по основным характеристикам памяти с программой Everest никаких нет.
DFI X58-T3H6
Скажем несколько слов материнской плате, на которой выяснялись нюансы разгона памяти DDR3 на платформе Nehalem. Плата относится к серии LanParty JR (аббревиатура от слова «junior», т.е. младший) и поставляется в небольшой коробке с изображением тинэйджера, катающегося на доске — как раз под стать названию.

Комплект поставки следующий:

  • инструкция к материнской плате;
  • инструкция по ABS;
  • диск с драйверами и ПО;
  • два кабеля SATA;
  • один аэродинамический кабель IDE;
  • один аэродинамический кабель FDD;
  • переходник питания для SATA-устройств;
  • задняя планка I/O;
  • мостики SLI и CrossFire;
  • набор разъемов Smart Connectors.


Материнская плата DFI X58-T3H6 с фирменной расцветкой выполнена в форм-факторе mATX и, несмотря на свой размер, позволяет собирать на ее базе небольшие, но мощные игровые системы за счет двух графических разъемов PCI Express x16. Плата поддерживает как режим CrossFireX, так и SLI.

Из особенностей отметим наличие шести слотов памяти, горизонтально расположенные разъемы SATA, установленный динамик, индикатор POST-кодов и кнопки Power и Reset. Дополнительно к двум разъемам PCI-E x16 на плате нашлось место еще одному PCI-E x4 и обычному PCI.

Подсистема питания процессора выполнена по 6-канальной схеме с использованием твердотельных конденсаторов, как и во всех цепях питания платы. Охлаждение северного моста осуществляется за счет алюминиевого радиатора с ребрами сложной формы, который посредством тепловой трубки передает тепло (или принимает) радиатору на силовых транзисторах, набранному уже из тонких алюминиевых пластин.

На задней панели DFI X58-T3H6 можно обнаружить два порта PS/2, оптический и коаксиальный S/PDIF, шесть портов USB, один RJ45 и шесть аудиоразъемов. Есть также джампер, позволяющий произвести сброс настроек BIOS, что полезно будет при неудачном разгоне.

BIOS платы имеет достаточное количество изменяемых параметров, чтобы произвести тонкую настройку системы, и даже разогнать процессор. В последнем случае эта малютка не особо отличается от полноразмерных сородичей.

Настройки для оверклокинга сосредоточены в разделе Genie BIOS Setting, причем, даже параметры, отвечающие за те или иные технологии, которые поддерживает процессор, сгруппированы в один из подразделов, что очень удобно. Обычно некоторые производители разбрасывают их по всем разделам BIOS Setup, а ту все в одном месте.


В недостатке настроек также не упрекнешь — есть все, что необходимо для разгона, начиная от изменения коэффициентов умножения процессора, памяти и Uncore с шиной QPI, и заканчивая широким списком различных напряжений. Хотя, по правде говоря, при выяснении разгонного потенциала большую лепту внесут напряжения на процессоре, памяти и контроллере, чем все остальные вместе взятые.
Не менее интересный у платы мониторинг, который показывает важнейшие напряжения (девять значений), температуру (четыре значения) и скорость вращения пяти вентиляторов. Кстати, показания напряжений питания процессора, памяти, северного моста и блока Uncore дублируются в подразделе, отвечающем за настройку этих самых напряжений.

И последнее веяние моды — сохранение профилей для разгона, или каких других настроек системы.

Изначально уже сохранено три профиля для процессоров Core i7-920, i7-940 и i7-965, которые позволяют разогнать каждый из CPU на 14,5%.
Естественно, нельзя было не проверить разгонный потенциал платы, что и было сделано. Максимальной частотой тактового генератора, при которой DFI X58-T3H6 сохраняла полную стабильность, оказались 220 МГц — вполне достойный результат для mATX-решения. И если с разгоном никаких нареканий не было, то с памятью во время тестирования проявились некоторые интересные моменты: при выставлении неподходящих параметров памяти плата отказывалась стартовать, а при смене модулей необходимо было сбрасывать настройки BIOS Setup. Кстати, сбросить настройки можно нажав одновременно кнопки Power и Reset при выключенной системе, но в очень тяжелых случаях придется все же воспользоваться джампером Clear CMOS.
Методика тестирования
Память разгонялась на следующей конфигурации:

  • Процессор: Intel Core i7-965 (3,2 ГГц, C0);
  • Материнская плата: DFI X58-T3H6 (Intel X58);
  • Видеокарта: ASUS EN8800GS TOP (GeForce 8800 GS 384MB);
  • Кулер: Noctua NH-U12P;
  • Жёсткий диск: Samsung SP2504C (250 ГБ, SATA2);
  • Блок питания: Seasonic SS-600HM (600 Вт).

Тестирование проводилось в среде Windows Vista Home Premium x64 SP2, для проверки на стабильность системы использовались четыре запущенные копии программы LinX с использованием объема памяти 1024 МБ.
Соотношение частоты тактового генератора, множителя на памяти и процессоре в BIOS Setup материнской платы подбирались в индивидуальном порядке, но чаще множитель CPU был х23 или х21, а частота Bclk была в пределах 133-165 МГц. Пропускная способность шины QPI составляла 4800 МТ/с. Напряжение на контроллере памяти выставлялось на уровне 1,48 В, так как при более высоком процессор перегревался и система выдавала ошибку во время тестирования. И это притом, что родные вентиляторы кулера Noctua NH-U12P пришлось заменить на более скоростные модели. Напряжение на памяти равнялось 1,65 В. Остальные настройки BIOS не влияли на уровень разгона и выставлялись в значение Auto.
Разгонный потенциал выяснялся для трех наборов таймингов, актуальных на данный момент для памяти DDR3: 7-7-7-21, 8-8-8-24 и 9-9-9-27 с Command Rate 1T. Второстепенные задержки оставались в значении Auto.
Результаты разгона

Начнем комментировать результаты разгона трехканального комплекта G.SKILL F3-15000CL9T-6GBTD с высоких задержек. При таймингах 9-9-9-27, как, впрочем, и при tRAS, равном 24, память на своей номинальной частоте работать отказалась. В данном случае удалось добиться функционирования лишь на 1824 МГц. Повышение напряжения на контроллере приводило к зависанию системы. Снизив задержки до уровня 8-8-8-24, пороговая частота не сильно изменилась и равнялась 1800 МГц. А вот с таймингами 7-7-7-21 планка значительно упала — до 1656 МГц.

Набор G.SKILL F3-16000CL9T-6GBTD при таймингах 9-9-9-27(24) без проблем удалось запустить на частоте 1920 МГц, что меньше номинальных для этой памяти 2000 МГц. Установка более агрессивных задержек незначительно снизило частоту — система стабильно проходила тесты при 1896 МГц. Тайминги 7-7-7-21 опять значительно повлияли на результат, и итоговая частота составила 1644 МГц, что даже ниже, чем у менее дорогого комплекта памяти.
Результаты тестирования
Дополнительно было проведено небольшое исследование влияния частоты памяти в трехканальном режиме на результаты тестирования при различных таймингах. Для этого использовалось три режима работы памяти: 1940 МГц с задержками 9-9-9-27, 1858 МГц с 8-8-8-24 и 1651 МГц с 7-7-7-21. Частота тактового генератора и коэффициенты умножения CPU и памяти подбирались таким образом, чтобы во всех случаях процессор работал на частоте около 3,72 ГГц, а память не выходила за пределы выбранных режимов (в данном случае частота памяти даже выше значений, полученных при разгоне, что никак не влияло на стабильности работы системы в тестовых приложениях). В качестве видеокарты использовался адаптер Inno3D iChill GTX275 Accelero XXX.

Результаты тестирования занесены в следующую таблицу:
Как и следовало ожидать, сколь серьезная разница между режимами работы памяти будет наблюдаться только в тех приложениях, которые в большей степени чувствительны к пропускной способности памяти. Для нашего тестирования этими приложениями являются Everest c тестами памяти и в какой-то мере WinRAR с SuperPI. В остальных случаях за счет трехканальной организации контроллера памяти ПСП даже избыточна при частоте 1650 МГц, и во всех игровых тестах результат между режимами практически ничем не отличается, особенно в S.T.A.L.K.E.R.: Clear Sky.
Выводы
С выходом процессоров Core i7 с интегрированным трехканальным контроллером памяти необходимость в высокочастотных модулях отпала и на данный момент 1600-мегагерцовых планок более чем достаточно. Использование памяти DDR3-1866/2000 оправдано при условии экстремального разгона, ибо, как показало наше тестирование, даже запустить модули на номинальной частоте становится проблематично. Из-за архитектурных особенностей процессоров на ядре Bloomfield ограничивающим фактором становится частота встроенной в процессор части северного моста, называемой Uncore, которая в два раза должна превышать частоту памяти. Если использовать планки DDR3-2000, то результирующая частота Uncore составит 4 ГГц — в таком случае требуется сильно поднимать напряжение на контроллере памяти, что влечет за собой значительный нагрев процессора, и без соответствующего охлаждения добиться стабильной работы не выйдет. Но даже если порог высокочастотных модулей составит всего 1800-1900 МГц можно использовать память на такой частоте при более низких таймингах, что повысит быстродействие системы.
Относительно рассмотренных в данном материале комплектов памяти G.SKILL F3-15000CL9T-6GBTD и F3-16000CL9T-6GBTD можно сказать, что их потенциал при высоких задержках раскрыть не получилось, так как система охлаждения процессора не позволяла значительно повысить напряжение на контроллере. Зато при таймингах 8-8-8-24 и 7-7-7-21 они продемонстрировали вполне неплохие результаты. Из особенностей модулей отметим радиаторы оригинальной формы.
Ну а материнская плата DFI X58-T3H6, хоть и выполнена в форм-факторе mATX, отличается значительным количеством всевозможных настроек для разгона, отличным мониторингом и позволяет устанавливать две видеокарты в режиме SLI или CrossFire. И если ранее подобные платы предназначались в основном для офисных систем или компьютеров начального уровня, то с выходом чипсета Intel X58 Express интерес производителей к этой категории продуктов усилился. И теперь, возможно, модельный ряд компаний не ограничится hi-end-решениями, и мы сможем увидеть более доступные mATX-платы с широкой функциональностью.
Благодарим следующие компании за предоставленное тестовое оборудование:

  • 1-Инком за комплекты памяти G.SKILL F3-15000CL9T-6GBTD и F3-16000CL9T-6GBTD, а также за материнскую плату DFI X58-T3H6;
  • Intel за процессор Intel Core i7-965;
  • Мастер Групп за видеокарту ASUS EN8800GS TOP 384MB;
  • Noctua за кулер Noctua NH-U12P и термопасту Noctua NT-H1;
  • Синтекс за блок питания Seasonic SS-600HM.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *