Какой техпроцесс лучше?

Технологический процесс в электронной промышленности

Основная статья: Электронная промышленность Процессор Apple

Технологический процесс полупроводникового производства — технологический процесс изготовления полупроводниковых (п/п) изделий и материалов; состоит из последовательности технологических (обработка, сборка) и контрольных операций, часть производственного процесса производства п/п изделий (транзисторов, диодов и т. п.).

При производстве п/п интегральных микросхем применяется фотолитография и литографическое оборудование. Разрешающая способность (в мкм и нм) этого оборудования (т. н. проектные нормы) и определяет название применяемого конкретного технологического процесса.

Совершенствование технологии и пропорциональное уменьшение размеров п/п структур способствуют улучшению характеристик (размеры, энергопотребление, рабочие частоты, стоимость) полупроводниковых приборов (микросхем, процессоров, микроконтроллеров и т. д.). Особую значимость это имеет для процессорных ядер, в аспектах потребления электроэнергии и повышения производительности, поэтому ниже указаны процессоры (ядра) массового производства на данном техпроцессе.

Этапы технологического процесса при производстве микросхем

Пластина монокристаллического кремния с готовыми микросхемами Подробнее по этой теме см. Планарная технология.

Технологический процесс производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (микропроцессоров, модулей памяти и др.) включает нижеследующие операции.

  • Механическую обработку полупроводниковых пластин — получают пластины полупроводника со строго заданной геометрией, нужной кристаллографической ориентацией (не хуже ±5 %) и классом чистоты поверхности. Эти пластины в дальнейшем служат заготовками в производстве приборов или подложками для нанесения эпитаксиального слоя.
  • Химическую обработку (предшествующую всем термическим операциям) — удаление механически нарушенного слоя полупроводника и очистка поверхности пластины. Основные методы химической обработки: жидкостное и газовое травление, плазмохимические методы. Для получения на пластине рельефа (профилирование поверхности) в виде чередующихся выступов и впадин определённой геометрии, для вытравливания окон в маскирующих покрытиях, для проявления скрытого изображения в слое экспонированного фоторезиста, для удаления его заполимеризированных остатков, для получения контактных площадок и разводки в слое металлизации применяют химическую (электрохимическую) обработку.
  • Эпитаксиальное наращивание слоя полупроводника — осаждение атомов полупроводника на подложку, в результате чего на ней образуется слой, кристаллическая структура которого подобна структуре подложки. При этом подложка часто выполняет лишь функции механического носителя.
  • Получение маскирующего покрытия — для защиты слоя полупроводника от проникновения примесей на последующих операциях легирования. Чаще всего проводится путём окисления эпитаксиального слоя кремния в среде кислорода при высокой температуре.
  • Фотолитография — производится для образования рельефа в диэлектрической плёнке.
  • Введение электрически активных примесей в пластину для образования отдельных p- и n-областей — нужно для создания электрических переходов, изолирующих участков. Производится методом диффузии из твёрдых, жидких или газообразных источников, основными диффузантами в кремний являются фосфор и бор.

Термическая диффузия — направленное перемещение частиц вещества в сторону убывания их концентрации: определяется градиентом концентрации. Часто применяется для введения легирующих примесей в полупроводниковые пластины (или выращенные на них эпитаксиальные слои) для получения противоположного, по сравнению с исходным материалом, типа проводимости, либо элементов с более низким электрическим сопротивлением. Ионное легирование (применяемое при изготовлении полупроводниковых приборов с большой плотностью переходов, солнечных батарей и СВЧ-структур) определяется начальной кинетической энергией ионов в полупроводнике и выполняется в два этапа:

  1. в полупроводниковую пластину на вакуумной установке внедряют ионы
  2. производится отжиг при высокой температуре

В результате восстанавливается нарушенная структура полупроводника и ионы примеси занимают узлы кристаллической решётки.

  • Получение омических контактов и создание пассивных элементов на пластине — с помощью фотолитографической обработки в слое оксида, покрывающем области сформированных структур, над предварительно созданными сильно легированными областями n+- или p+-типа, которые обеспечивают низкое переходное сопротивление контакта, вскрывают окна. Затем, методом вакуумного напыления всю поверхность пластины покрывают слоем металла (металлизируют), излишек металла удаляют, оставив его только на местах контактных площадок и разводки. Полученные таким образом контакты, для улучшения адгезии материала контакта к поверхности и уменьшения переходного сопротивления, термически обрабатывают (операция вжигания). В случае напыления на материал оксида специальных сплавов получают пассивные тонкоплёночные элементы — резисторы, конденсаторы, индуктивности.
  • Добавление дополнительных слоёв металла (в современных процессах — около 10 слоёв), между слоями располагают диэлектрик (англ. inter-metal dielectric, IMD) со сквозными отверстиями.
  • Пассивация поверхности пластины. Перед контролем кристаллов необходимо очистить их внешнюю поверхность от различных загрязнений. Более удобной (в технологическом плане) является очистка пластин непосредственно после скрайбирования или резки диском, пока они ещё не разделены на кристаллы. Это целесообразно и потому, что крошки полупроводникового материала, образуемые при скрайбировании или надрезании пластин, потенциально являются причиной появления брака при разламывании их на кристаллы с образованием царапин при металлизации. Наиболее часто пластины очищают в деионизированной воде на установках гидромеханической (кистьевой) отмывки, а затем сушат на центрифуге, в термошкафу при температуре не более 60 °C или инфракрасным нагревом. На очищенной пластине определяются дефекты вносимые операцией скрайбирования и разламывания пластин на кристаллы, а также ранее проводимых операциях — фотолитографии, окислении, напылении, измерении (сколы и микротрещины на рабочей поверхности, царапины и другие повреждения металлизации, остатки оксида на контактных площадках, различные остаточные загрязнения в виде фоторезиста, лака, маркировочной краски и т. п.).
  • Тестирование неразрезанной пластины. Обычно это испытания зондовыми головками на установках автоматической разбраковки пластин. В момент касания зондами разбраковываемых структур измеряются электрические параметры. В процессе маркируются бракованные кристаллы, которые затем отбрасываются. Линейные размеры кристаллов обычно не контролируют, так как их высокая точность обеспечивается механической и электрохимической обработкой поверхности (толщина) и последующим скрайбированием (длина и ширина).
  • Разделение пластин на кристаллы — механически разделяет (разрезанием) пластину на отдельные кристаллы.
  • Сборка кристалла и последующие операции монтажа кристалла в корпус и герметизация — присоединение к кристаллу выводов и последующая упаковка в корпус, с последующей его герметизацией.
  • Электрические измерения и испытания — проводятся с целью отбраковки изделий, имеющих несоответствующие технической документации параметры. Иногда специально выпускаются микросхемы с «открытым» верхним пределом параметров, допускающих впоследствии работу в нештатных для остальных микросхем режимах повышенной нагрузки (см., например, Разгон компьютеров).
  • Выходной контроль (англ.), завершающий технологический цикл изготовления устройства весьма важная и сложная задача (так, для проверки всех комбинаций схемы, состоящей из 20 элементов с 75 (совокупно) входами, при использовании устройства, работающего по принципу функционального контроля со скоростью 104 проверок в секунду, потребуется 1019 лет!)
  • Маркировка, нанесение защитного покрытия, упаковка — завершающие операции перед отгрузкой готового изделия конечному потребителю.

Для выполнения требований электронной производственной гигиены строят особо чистые помещения («чистые комнаты»), в которых люди могут находиться только в специальной одежде

Технологии производства полупроводниковой продукции с субмикронными размерами элементов основана на чрезвычайно широком круге сложных физико-химических процессов: получение тонких плёнок термическим и ионно-плазменным распылением в вакууме, механическая обработка пластин производится по 14-му классу чистоты с отклонением от плоскостности не более 1 мкм, широко применяется ультразвук и лазерное излучение, используются отжиг в кислороде и водороде, рабочие температуры при плавлении металлов достигают более 1500 °C, при этом диффузионные печи поддерживают температуру с точностью 0,5 °C, широко применяются опасные химические элементы и соединения (например, белый фосфор).

Всё это обусловливает особые требования к производственной гигиене, так называемую «электронную гигиену», ведь в рабочей зоне обработки полупроводниковых пластин или на операциях сборки кристалла не должно быть более пяти пылинок размером 0,5 мкм в 1 л воздуха. Поэтому в чистых комнатах на фабриках по производству подобных изделий все работники обязаны носить специальные комбинезоны.. В рекламных материалах Intel спецодежда работников получила название bunny suit («костюм кролика») .

Техпроцессы 1970-х — 1980-х

Ранние техпроцессы, до стандартизации NTRS (National Technology Roadmap for Semiconductors) и ITRS, обозначались «xx мкм» (xx микрон), где xx сперва обозначало техническое разрешение литографического оборудования, затем стало обозначать длину затвора транзистора, полушаг линий металла (half pitch) и ширину линий металла. В 1970-х существовало несколько техпроцессов, в частности 10, 8, 6, 4, 3, 2 мкм; в среднем, каждые три года происходило уменьшение шага с коэффициентом 0,7

Прогресс миниатюризации и сравнение размеров техпроцесса с некоторыми микроскопическими объектами и длиной волны видимого света.

3 мкм

3 мкм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1975 году Zilog (Z80) и в 1979 году Intel (Intel 8086). Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 3 мкм.

1,5 мкм

1,5 мкм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому Intel в 1982 году. Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 1,5 мкм.

  • Intel 80286

0,8 мкм

0,8 мкм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в конце 1980-х — начале 1990-х годов компаниями Intel и IBM.

  • Intel 80486 (1989 год)
  • MicroSPARC I (1992 год)
  • Первые Intel P5 Pentium на частотах 60 и 66 МГц (1993 год)

0,6-0,5 мкм

Техпроцесс, достигнутый производственными мощностями компаниями Intel и IBM в 1994—1995 годах.

  • 80486DX4 CPU (1994 год)
  • IBM/Motorola PowerPC 601, первый чип архитектуры PowerPC
  • Intel Pentium на частотах 75, 90 и 100 МГц
  • МЦСТ-R100 (1998 г., 0,5 мкм, 50 МГц)

Техпроцессы после середины 1990-х

Обозначения для техпроцессов, внедренных, начиная с середины 1990-х годов, были стандартизованы NTRS и ITRS и стали называться «Technology Node» или «Cycle». Реальные размеры затворов транзисторов логических схем стали несколько меньше, чем обозначено в названии техпроцессов 350 нм — 45 нм, благодаря внедрению технологий resist-pattern-thinning и resist ashing. С этих пор коммерческие названия техпроцессов перестали соответствовать длине затвора.

С переходом на следующий техпроцесс ITRS площадь, занимаемая стандартной ячейкой 1 бита памяти SRAM, в среднем уменьшалась вдвое. В период с 1995 по 2008 года такое удвоение плотности транзисторов происходило в среднем каждые 2 года.

350 нм (0,35 мкм)

350 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1997 году ведущими компаниями-производителями микросхем, такими как Intel, IBM, и TSMC. Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 0,35 мкм.

  • Intel Pentium MMX (P55)
  • Intel Pentium Pro
  • Pentium II (Klamath)
  • МЦСТ-R150 (2001 г., 150 МГц)

250 нм

250 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1998 году ведущими компаниями-производителями микросхем. Соответствует линейному разрешению литографического оборудования, примерно равному 0,25 мкм.

Используется до 6 слоёв металла, минимальное количество литографических масок 22.

  • Pentium II (Deschutes)
  • Pentium III (Katmai)

180 нм

180 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 1999 году ведущими компаниями-производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения по отношению к предыдущему техпроцессу 0,25 мкм.

Содержит до 6-7 слоёв металла. Минимальное количество литографических масок около 22.

  • AMD Athlon XP (Palomino)
  • Intel Pentium III (Coppermine)

130 нм

130 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому в 2001 году ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 0,18 мкм.

Техпроцессы менее 100 нм

Для обозначения более тонких техпроцессов разные технологические альянсы могут следовать различным рекомендациям (Foundry/IDM). В частности, TSMC использует обозначения 40 нм, 28 нм и 20 нм для техпроцессов, сходных по плотности с процессами Intel 45 нм, 32 нм и 22 нм соответственно.

90 нм

90 нм — техпроцесс, соответствующий уровню полупроводниковой технологии, которая была достигнута к 2002—2003 годам. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 0,13 мкм.

Технологический процесс с проектной нормой 90 нм часто используется с технологиями напряженного кремния, медных соединений с меньшим сопротивлением, чем у ранее применяемого алюминия, а также c новыми диэлектрическими материалами с низкой диэлектрической проницаемостью.

  • Intel Pentium 4 (Prescott)
  • МЦСТ-4R (готовится к выпуску, 4 ядра, 1 ГГц)
  • AMD Turion 64 X2 (мобильный)
  • Эльбрус-S — 2010

65 нм

65 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2004 году ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 90 нм.

45 нм / 40 нм

45 нм и 40 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2006—2007 годам ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 65 нм.

Для микроэлектронной промышленности стал революционным, так как это был первый техпроцесс, использующий технологию high-k/metal gate (HfSiON/TaN в технологии компании Intel), для замены физически себя исчерпавших SiO2/poly-Si

32 нм / 28 нм

32 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2010 годам ведущими компаниями-производителями микросхем. В соответствии с моделями ITRS, соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 45 нм.

Осенью 2009 компания Intel находилась на этапе перехода к этому новому техпроцессу. С начала 2011 начали производиться процессоры по данному техпроцессу.

В третьем квартале 2010 года на новых мощностях расположенной на Тайване фабрики Fab 12 компании TSMC начался серийный выпуск продукции по технологии, получившей маркетинговое обозначение «28-нанометров» (не является обозначением, рекомендуемым ITRS).

  • Intel Sandy Bridge
  • Intel Saltwell
  • AMD Bulldozer
  • AMD Piledriver (англ.)русск. (второе поколение Bulldozer)
  • APU от AMD: Llano и Trinity (второе поколение AMD APU)
  • Многоядерные процессоры Snapdragon фирмы Qualcomm.
  • Мобильные процессоры Apple A7, изготовляемые Samsung.
  • AMD Steamroller (третье поколение Bulldozer — 2014)
  • Baikal-T1 — 2015
  • Эльбрус-8С (восьмиядерный процессор серверного класса с архитектурой «Эльбрус» — 2015)

В мае 2011 по технологии 28 нм фирмой Altera была выпущена самая большая в мире микросхема, состоящая из 3,9 млрд транзисторов.

22 нм / 20 нм

22 нм — техпроцесс, соответствующий уровню технологии, достигнутому к 2009—2012 гг. ведущими компаниями — производителями микросхем. Соответствует удвоению плотности размещения элементов по отношению к предыдущему техпроцессу 32 нм.

22-нм элементы формируются путём фотолитографии, в которой маска экспонируется светом с длиной волны 193 нм.

В 2008 году, на ежегодной выставке высоких технологий International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско технологический альянс компаний IBM, AMD и Toshiba продемонстрировал ячейку памяти SRAM, выполненную по 22-нм техпроцессу из транзисторов типа FinFET, которые, в свою очередь, выполняются по прогрессивной технологии high-k/metal gate (затворы транзистора изготавливаются не из кремния, а из гафния), площадью всего 0,128 мкм² (0,58×0,22 мкм).

Также о разработке ячейки памяти типа SRAM площадью 0,1 мкм², созданной по техпроцессу 22 нм, объявили IBM и AMD
Первые работоспособные тестовые образцы регулярных структур (SRAM) представлены публике компанией Intel в 2009 году. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм² функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм² оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм² является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.

По такой технологии производятся (с начала 2012 года):

  • Intel Ivy Bridge / Ivy Bridge-E
  • Intel Haswell (последователь Ivy Bridge, со встроенным GPU).
  • Intel Bay Trail-M (мобильные Pentium и Celeron на микроархитектуре Silvermont; сентябрь 2013)

14 нм / 16 нм FinFET

Основная статья: 14 нанометров

В другом языковом разделе есть более полная статья Multigate device (англ.). Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода.
При этом, для соблюдения правил атрибуции, следует установить шаблон {{переведённая статья}} на страницу обсуждения, либо указать ссылку на статью-источник в комментарии к правке.

По состоянию на май 2014, компания Samsung продолжала разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP; а выпускать процессоры для Apple планирует в 2015 году.

По состоянию на сентябрь 2014, TSMC продолжала разработку 16-нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (Fin Field Effect Transistor, FinFET) и планировала начать 16-нм производство в 1 квартале 2015 года.

Согласно экстенсивной стратегии фирмы Intel, уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год после представления чипа Haswell (2013); процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием Broadwell. Для критических слоёв техпроцесса 14 нм Intel потребовалось применение масок с технологией Inverse Lithography (ILT) и SMO (Source Mask Optimization)

  • процессоры Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell) — начало продаж апрель 2015
  • Coffee Lake — десктопные процессоры от Интел (24 сентября 2017)
  • AMD Ryzen — десктопные процессоры от AMD (2017)
  • Мобильные процессоры Apple A10

Компания МЦСТ к 2020 году планирует выпускать 14-нм процессор Эльбрус-32С.

12 нм

В апреле 2018 года AMD представила процессоры Zen+ на 12-нм техпроцессе:

  • Ryzen 5 2600 и 2600X
  • Ryzen 7 2700 и 2700X

10 нм

Тайваньский производитель United Microelectronics Corporation (UMC) сообщил, что присоединится к технологическому альянсу IBM для участия в разработке 10-нм CMOS-техпроцесса.

В 2011 году публиковалась информация о планах Intel по развитию 10-нм техпроцесса к 2018 году, в октябре 2017 Intel сообщил о планах начать производство до конца 2017 года.

Пробный выпуск продукции по нормам 10 нм намечался компанией TSMC на 2015 год, а серийный — на 2016.

В начале 2017 года выпуск 10 нм составлял около 1% от продукции TSMC

Samsung запустил 10-нм производство в 2017 году

  • Apple A11 Bionic — 64-битный шестиядерный процессор для iPhone 8 (2017).
  • Cannonlake — десктопные процессоры от Intel.
  • Snapdragon 835.
  • Snapdragon 845.

7 нм

Завод Intel Fab 42

Строительство завода Intel под названием Fab 42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами. В стройку планируется вложить более 5 млрд долл. На момент запуска Fab 42 стал бы, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.
В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42 из-за сокращения рынка ПК. Открытие завода планировалось в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года.
В начале 2017 года Intel выделило 7 млрд долл. на установку и наладку оборудования для построенной фабрики, чему поспособствовала политика местного производства. На завершение работ отводится ещё 3-4 года. Планируется освоение 7 нм техпроцесса.

В 2018 году на фабриках TSMC началось производство мобильных процессоров Apple A12, Kirin 980 а также Snapdragon 855. Производство 7-нм процессоров на архитектуре x86 задерживается, первые образцы на данной архитектуре появятся не раньше 2019 года. Согласно интернет-изданию Russian Tom’s Hardware Guide, с помощью 7-нм техпроцесса TSMC может разместить 66 миллионов транзисторов на квадратном миллиметре, в то же время с помощью 10-нм техпроцесса Intel может разместить на аналогичной площади 100 миллионов транзисторов.

  • Zen 2 (микроархитектура) от AMD
    • серверные процессоры Epyc; ожидаются в 2019 году
    • десктопные процессоры Matisse.
    • графический ускоритель Vega от AMD
  • Apple A12X (с 2018)
  • Snapdragon 855
  • Kirin 980

Ближайшие прогнозы

В мае 2017 года AMD, в ходе Financial Analyst Day, анонсировало массовое производство графического процессора Navi в первой половине 2018 года и переходе на 7нм+ -технологию к 2020 году.

Samsung в марте 2017 года презентовал дорожную карту по выпуску процессоров по 7- и 5-нм технологиям. В ходе презентации вице-президент Samsung по технологии Хо-Кью Кан отметил, что многие производители столкнулись с проблемой при разработке технологий меньше 10 нм. Однако Samsung справилась с задачей, ключом к которой стало использование полевого транзистора с «кольцевым» затвором (GAA FET). Эти транзисторы позволят компании продолжить уменьшать элементы до размера 7 и 5 нм. Для изготовления пластин компания применит технологию экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).

3 нм

Исследовательский центр imec (Бельгия) и компания Cadence Design Systems создали технологию и выпустили первые пробные образцы микропроцессоров по технологии 3 нм.

Samsung к 2021 году намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET

Примечания

  1. В качестве средств индивидуальной защиты применяют спецодежду, изготовленную из металлизированной ткани (комбинезоны, халаты, передники, куртки с капюшонами и вмонтированными в них защитными очками)

    — Городилин В. М., Городилин В. В. § 21. Излучения, их действия на окружающую среду и меры борьбы за экологию. // Регулировка радиоаппаратуры. — Издание четвёртое, исправленное и дополненное. — М.: Высшая школа, 1992. — С. 79. — ISBN 5-06-000881-9.

  2. Миниатюрность и чистота
  3. Intel Museum — From Sand to Circuits
  4. 1 2 3 H. Iwai. Roadmap for 22 nm and beyond (англ.) // Microelectronic Engineering. — Elsevier, 2009. — Vol. 86, iss. 7-9. — P. 1520–1528. — DOI:10.1016/j.mee.2009.03.129. Архивировано 23 сентября 2015 года.; slides
  5. What does ’45-nm’ mean, anyway? // EDN, October 22, 2007 «The result was that by about 350 nm (actually called 0.35 micron in those days), the «350 nm» had become simply the name of the process rather than a measure of any physical dimension. »
  6. 1 2 3 4 5 Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Process and Status — Part 3, 2013: «ITRS MPU driver model ..scaled the number of logic transistors .. by 2× per technology node. Since dimensions shrink by 0,7× per node, and nominal layout density therefore doubles, this simple scaling model allows die size to remain constant across technology nodes.»
  7. Scotten Jones. Who Will Lead at 10nm?, SemiWiki (29 сентября 2014). Проверено 27 октября 2015.
  8. PRESS KIT — First 45nm Chips: Eco-Friendly. Faster. ‘Cooler’.
  9. Intel Demonstrates High-k + Metal Gate Transistor Breakthrough on 45 nm Microprocessors
  10. Intel 32nm Logic Technology (англ.)
  11. процессоры Intel по 32-нм технологии
  12. New Details on Intel’s Upcoming 32nm Logic Technology (англ.)
  13. White Paper Introduction to Intel’s 32nm Process Technology (англ.)
  14. High Performance 32nm Logic Technology Featuring 2nd Generation High-k + Metal Gate Transistors
  15. TSMC преодолела сложности 40-нанометровой технологии и в этом году начнет выпуск по нормам 28 нм
  16. AMD исправляет минусы Bulldozer в архитектуре Steamroller
  17. Новая архитектура AMD «Steamroller» в 2014? // 3.01.2013
  18. МЦСТ. Новый 8-ядерный микропроцессор Эльбрус-8С.
  19. Восьмиядерный микропроцессор с архитектурой Эльбрус (недоступная ссылка). Архивировано 25 июня 2014 года.
  20. Корпорация Altera установила новый отраслевой рекорд — Программируемая вентильная матрица (FPGA) Stratix V (недоступная ссылка)
  21. Новости с прошедшего с 22 по 24 сентября в Сан-Франциско Форума Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF)
  22. The Rosetta Stone of Lithography, 2013-11-20, по материалам Lars Leibmann, The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013
  23. IBM, AMD и Toshiba продемонстрировали первую 22-нм ячейку памяти SRAM
  24. IBM и AMD продемонстрируют 22 нм ячейку памяти
  25. Intel Developer Forum 22nm News Facts
  26. // digitimes.com
  27. Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм. Архивировано 5 июля 2017 года. // iXBT.com
  28. TSMC начнёт 16 нм производство в 1 квартале 2015 года // nvworld.ru
  29. V. Singh. EUV: The Computational Landscape EUVL Workshop, 2014 «ILT+SMO are used to sharpen the image of critical masks for 14nm and 10nm nodes»
  30. Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell) // itc.ua, 1.04.2015
  31. «Российские технологии «Эльбрус» для персональных компьютеров, серверов и суперкомпьютеров».
  32. UMC присоединится к IBM в разработке 10-нм техпроцесса
  33. Просочившийся слайд Intel указывает на 10-нм техпроцесс в 2018 году // 3DNews
  34. 10-нанометровые процессоры Intel все же появятся в этом году, но в очень ограниченном количестве // IXBT.com, окт 2017
  35. В будущем году TSMC планирует начать пробный, а в 2016 году — серийный выпуск продукции по нормам 10 нм // IXBT.com
  36. // eetimes.com
  37. // eetimes.com
  38. 10-нанометровые процессоры Intel Ice Lake могут задержаться до 2020 года (тот факт, что у Intel не срослось с 10-нанометровым техпроцессом, уже давно не является секретом) // IXBT.com, 18 сентября 2018
  39. Технические характеристики Snapdragon 845 | AndroidLime (рус.) ?. androidlime.ru. Проверено 23 мая 2018.
  40. A First Look at Intel’s 14nm Fab 42 Manufacturing Facility // January 25, 2012 by Douglas Perry — source: VLSI Research; на русском: Intel Fab 42: первые фото строящегося производства по созданию 14 нм процессоров. Цитата: «first volume production facility that is compatible with 450 mm wafers»
  41. Update: Intel to build fab for 14-nm chips // Mark LaPedus 2/18/2011 «Fab 42, will be a 300-mm plant. It will also be compatible for 450-mm»
  42. Intel cancels 14nm Fab 42 in Arizona, due to increasing competition from ARM. // ExtremeTech
  43. Intel postpones Broadwell availability to 4Q14 // digitimes.com, фев 2014
  44. Началось производство процессоров Apple A12 для новых iPhone (рус.), Wylsacom (23 мая 2018). Проверено 1 августа 2018.
  45. Huawei запустила производство процессора Kirin 980 для Mate 20, P30 и других смартфонов (рус.), AKKet (8 апреля 2018). Проверено 1 августа 2018.
  46. Snapdragon 855 запущен в массовое производство (рус.), android-1.com. Проверено 1 августа 2018.
  47. AMD Ryzen 3000: всё, что вам нужно знать о ЦП нового поколения. «THG.ru» (5 февраля 2019). Проверено 7 марта 2019. Архивировано 7 марта 2019 года.
  48. AMD: первые такие CPU выйдут только в следующем году // IXBT.com, ноя 2018
  49. AMD Navi GPU is based on 7nm process
  50. Samsung ramping up to 7nm next year
  51. Imec and Cadence Tape Out Industry’s First 3nm Test Chip
  52. Samsung Plans Mass Production of 3nm GAAFET Chips in 2021 (англ.). Tom’s Hardware (11 January 2019). Проверено 18 января 2019.

Теперь о главном

Если говорить обобщенно, то под технологическим процессом понимается размер транзисторов.

Что это значит? Снова вернемся к производству процессоров.

Чаще всего применяется метод фотолитографии: кристалл покрыт диэлектрической пленкой, и из него вытравливаются транзисторы с помощью света. Для этого используется оптическое оборудование, разрешающая способность которого, по сути, и является техническим процессом. От ее значения — от точности и чувствительности аппарата — зависит тонкость транзисторов на кристалле.

Что это дает?

Как вы понимаете, чем они будут меньше, тем больше их можно расположить на чипе. Это влияет на:

  • Тепловыделение и энергопотребление. Из-за уменьшения размера элемента он нуждается в меньшем количестве энергии, следовательно, и меньше выделяет тепла.
    Данное преимущество позволяет устанавливать мощные CPU в небольшие мобильные устройства. Кстати, благодаря низкому энергопотреблению современных чипов, планшеты и смартфоны дольше держат заряд. Что касается ПК, пониженное тепловыделение дает возможность упростить систему охлаждения.
  • Численность заготовок. С одной стороны, производителям выгодно уменьшать техпроцесс, потому что из одной заготовки получается большее количество продукции. Правда, это лишь следствие утончения техпроцесса, а не преследование выгоды, потому что с другой стороны, чтобы снизить размер транзисторов, необходимо более дорогое оборудование.

  • Производительность чипа. Чем больше он будет иметь элементов, тем быстрее будет работать, при том, что его физический размер останется прежним.

Техпроцесс в числах и примерах

Измеряется технологический процесс в нанометрах (нм). Это 10 в -9 степени метра, то есть один нанометр является миллиардной его частью. В среднем, современные процессоры производятся по техпроцессу 22 нм.

Можете себе представить, сколько транзисторов умещается на процессоре. Чтобы вам было понятнее, на площади среза человеческого волоса могут разместиться 2000 элементов. Хоть чип и миниатюрный, но явно больше волоска, поэтому может включать в себя миллиарды транзисторных затворов.

Хотите знать точнее? Приведу несколько примеров:

  • В процессорах фирмы AMD, а именно Trinity, Llano, Bulldozer, техпроцесс составляет 32 нм. В частности, площадь кристалла последнего — 315 мм2, где располагаются 1,2 млрд. транзисторов.
    Phenom и Athlon того же производителя выполнены по техпроцессу 45 нм, то есть имеют 904 млн. при площади основания 346 мм2.

  • У компании Intel есть чипы по стандарту 22 нм — это семейство Ivy Bridge (Intel Core ix — 3xxx). Для наглядности: Core i7 – 3770K обладает 1,4 млрд. элементов, при том, что размер его кристалла всего 160 мм.
    У этого же бренда есть и 32-нанометровая продукция. Речь идет об Intel Sandy Bridge (2xxx). На площади 216 мм2 она умещает 1,16 млрд. транзисторов.

К слову, все, что вы узнали о техпроцессах для центральных компьютерных аппаратов, применимо и к графическим устройствам. Например, данное значение в видеокартах AMD (ATI) и Nvidia составляет 28 нм.

>Конвертер величин

Измерение расстояния и длины

Единицы расстояния и длины

В системе СИ длина измеряется в метрах. Производные величины, такие как километр (1000 метров) и сантиметр (1/100 метра), также широко используются в метрической системе. В странах, где не пользуются метрической системой, например в США и Великобритании, используют такие единицы как дюймы, футы и мили.

Расстояние в физике и биологии

В биологии и физике часто измеряют длину намного менее одного миллиметра. Для этого принята специальная величина, микроме́тр. Один микроме́тр равен 1×10⁻⁶ метра. В биологии в микрометрах измеряют величину микроорганизмов и клеток, а в физике — длину инфракрасного электромагнитного излучения. Микроме́тр также называют микроном и иногда, особенно в англоязычной литературе, обозначают греческой буквой µ. Широко используются и другие производные метра: нанометры (1×10⁻⁹ метра), пикометры (1×10⁻¹² метра), фемтометры (1×10⁻¹⁵ метра и аттометры (1×10⁻¹⁸ метра).

Парусник проходит под мостом Золотые Ворота. Максимальная высота проходящего под ним судна может быть до 67,1 метра или 220 футов во время прилива.

Расстояние в навигации

В судоходстве используют морские мили. Одна морская миля равна 1852 метрам. Первоначально она измерялась как дуга в одну минуту по меридиану, то есть 1/(60×180) меридиана. Это облегчало вычисления широты, так как 60 морских миль равнялись одному градусу широты. Когда расстояние измеряется в морских милях, скорость часто измеряют в морских узлах. Один морской узел равен скорости движения в одну морскую милю в час.

Расстояние в астрономии

В астрономии измеряют большие расстояния, поэтому для облегчения вычислений приняты специальные величины.

Астрономическая единица (а. е., au) равна 149 597 870 700 метрам. Величина одной астрономической единицы — константа, то есть, постоянная величина. Принято считать, что Земля находится от Солнца на расстоянии одной астрономической единицы.

Световой год равен 10 000 000 000 000 или 10¹³ километрам. Это расстояние, которое проходит свет в вакууме за один Юлианский год. Эта величина используется в научно-популярной литературе чаще, чем в физике и астрономии.

Объяснение понятия «парсек»

Парсек приблизительно равен 30 856 775 814 671 900 метрам или примерно 3,09 × 10¹³ километрам. Один парсек — это расстояние от Солнца до другого астрономического объекта, например планеты, звезды, луны, или астероида, с углом в одну угловую секунду. Одна угловая секунда — 1/3600 градуса, или примерно 4,8481368 мкрад в радианах. Парсек можно вычислить используя параллакс — эффект видимого изменения положения тела, в зависимости от точки наблюдения. При измерениях прокладывают отрезок E1A2 (на иллюстрации) от Земли (точка E1) до звезды или другого астрономического объекта (точка A2). Шесть месяцев спустя, когда Солнце находится на другой стороне Земли, прокладывают новый отрезок E2A1 от нового положения Земли (точка E2) до нового положения в пространстве того же самого астрономического объекта (точка A1). При этом Солнце будет находиться на пересечении этих двух отрезков, в точке S. Длина каждого из отрезков E1S и E2S равна одной астрономической единице. Если отложить отрезок через точку S, перпендикулярный E1E2, он пройдет через точку пересечения отрезков E1A2 и E2A1, I. Расстояние от Солнца до точки I — отрезок SI, он равен одному парсеку, когда угол между отрезками A1I и A2I — две угловые секунды.

На рисунке:

  • A1, A2: видимое положение звезды
  • E1, E2: положение Земли
  • S: положение Солнца
  • I: точка пересечения
  • IS = 1 парсек
  • ∠P or ∠XIA2: угол параллакса
  • ∠P = 1 угловая секунда

Другие единицы

Лига — устаревшая единица длины, использовавшаяся раньше во многих странах. В некоторых местах ее до сих пор применяют, например, на полуострове Юкатан и в сельских районах Мексики. Это расстояние, которое человек проходит за час. Морская лига — три морских мили, примерно 5,6 километра. Лье — единица примерно равная лиге. В английском языке и лье, и лиги называются одинаково, league. В литературе лье иногда встречается в названии книг, как например «20 000 лье под водой» — известный роман Жюля Верна.

Локоть — старинная величина, равная расстоянию от кончика среднего пальца до локтя. Эта величина была широко распространена в античном мире, в средневековье, и до нового времени.

Ярд используется в британской имперской системе мер и равен трем футам или 0,9144 метра. В некоторых странах, например в Канаде, где принята метрическая система, ярды используют для измерения ткани и длины бассейнов и спортивных полей и площадок, например, полей для гольфа и футбола.

Определение метра

Определение метра несколько раз менялось. Изначально метр определяли как 1/10 000 000 расстояния от Северного полюса до экватора. Позже метр равнялся длине платиноиридиевого эталона. Позднее метр приравнивали к длине волны оранжевой линии электромагнитного спектра атома криптона ⁸⁶Kr в вакууме, умноженной на 1 650 763,73. Сегодня метр определяют как расстояние, пройденное светом в вакууме за 1/299 792 458 секунды.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *